|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| điện áp cực tiêu tán: | 600 V | Điện áp cổng nguồn: | ±30V |
|---|---|---|---|
| Tản điện tối đa: | 33w | dòng xả xung: | 16A |
| Ứng dụng: | Thắp sáng | Hình dạng: | hình vuông |
| Điểm nổi bật: | pwm trình điều khiển mosfet,trình điều khiển bước mosfet |
||
Gói JY16M N Kênh 600V TO220F-3
Chế độ nâng cao MOSFE công suất cho trình điều khiển động cơ BLDC
MÔ TẢ CHUNG
JY16M sử dụng các kỹ thuật xử lý rãnh mới nhất để đạt được tế bào cao
mật độ và giảm sức đề kháng với xếp hạng tuyết lở lặp đi lặp lại cao. Những
các tính năng kết hợp để làm cho thiết kế này trở thành một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy cho
sử dụng trong ứng dụng chuyển đổi năng lượng và một loạt các ứng dụng khác.
TÍNH NĂNG, ĐẶC ĐIỂM
● 600V / 4A, R DS (BẬT) =2.6Ω@V GS = 10V
● Chuyển đổi nhanh và phục hồi cơ thể đảo ngược
● Gói tuyệt vời để tản nhiệt tốt
CÁC ỨNG DỤNG
● Ánh sáng
● Bộ nguồn chuyển đổi chế độ hiệu quả cao
Xếp hạng tối đa tuyệt đối (Tc = 25ºC trừ khi có thông báo khác)
| Ký hiệu | Tham số | Xêp hạng | Đơn vị | |
| V DS | điện áp cực tiêu tán | 600 | V | |
| V GS | Cổng điện áp nguồn | ± 30 | V | |
| Tôi D | Xả liên tục Hiện hành | Tc = 25 º C | 4 | Một |
| Tc = 100 º C | 2.9 | |||
| Tôi DM | Dòng xả xung | 16 | Một | |
| P D | Tản điện tối đa | 33 | W | |
| T J T STG | Nhiệt độ hoạt động và lưu trữ Phạm vi | -55 đến +150 | º C | |
| R θJC | Nhiệt điện trở | 1,5 | º C / W | |
| R θJA | Nhiệt điện-Nối với môi trường xung quanh | 62 |
Đặc tính điện (Tc = 25ºC trừ khi có thông báo khác)
| Ký hiệu | Tham số | Điều kiện | Tối thiểu | Kiểu | Tối đa | Đơn vị |
| Đặc điểm tĩnh | ||||||
| BV DSS | Nguồn thoát nước Sự cố điện áp | V GS = 0V, I DS = 250uA | 600 | V | ||
| Tôi DSS | Điện áp cổng không Xả hiện tại | V DS = 600V, V GS = 0V | 1 | uA | ||
| Tôi GSS | Rò rỉ cổng Hiện hành | V GS = ± 30V, V DS = 0V | ± 100 | nA | ||
| V GS (th) | Ngưỡng cổng Vôn | V DS = V GS, I DS = 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| R DS (BẬT) | Nguồn thoát nước Kháng chiến nhà nước | V GS = 10V, I DS = 4A | 2.6 | 2,8 | Ω |
Đặc tính điện (Tc = 25ºC trừ khi có thông báo khác)
| Ký hiệu | Tham số | Điều kiện | Tối thiểu | Kiểu | Tối đa | Đơn vị |
| Đặc điểm Diode nguồn-Drain | ||||||
| V SD | Diode chuyển tiếp Vôn | V GS = 0V, I SD = 2A | 1,5 | V | ||
| Trr | Thời gian phục hồi ngược | Tôi SD = 4A di / dt = 100A / chúng tôi | 260 | ns | ||
| Qrr | Phí phục hồi ngược | 1,5 | nC | |||
| Đặc tính động | ||||||
| R G | Cổng kháng chiến | V GS = 0V, V DS = 0V, f = 1MHZ | 5 | Ω | ||
| T d (trên) | Thời gian trễ bật | V DS = 300V, R G = 25Ω, Tôi DS = 4A, V GS = 10V, | 15 | ns | ||
| Tr | Thời gian tăng | 48 | ||||
| T d (tắt) | Tắt thời gian trễ | 28 | ||||
| T f | Thời gian tắt mùa thu | 35 | ||||
| C ISS | Điện dung đầu vào | V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1.0 MHz | 528 | pF | ||
| C OSS | Điện dung đầu ra | 72 | ||||
| C RSS | Chuyển ngược Điện dung | 9 | ||||
| Q g | Tổng phí cổng | V DS = 480V, I D = 4A, V GS = 10V | 16 | nC | ||
| Q gs | Phí cổng nguồn | 3,5 | ||||
| Q gd | Phí xả cổng | 7.1 |
TẢI XUỐNG HƯỚNG DẪN SỬ DỤNG JY16M
Người liên hệ: Ms. Lisa
Tel: +86-18538222869
